发明名称 |
一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺 |
摘要 |
本发明涉及晶体硅太阳电池去金属离子清洗技术领域,尤其是一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺,由螯合剂1.0×10-5mol/L-1.0×10-3mol/L,使清洗液pH值范围在2-4的酸,及去离子水组成,第一步:使用HF溶液、HF+H2O2+H2O溶液或BOE+H2O2+H2O溶液中的一种在室温下清洗硅片1-5min;第二步:使用去离子水清洗硅片;第三步:室温下使用上述清洗液清洗2-10min;第四步:使用去离子水冲洗硅片,将残留在硅片表面的酸清洗掉。本发明配方简单,成本低廉,去除晶体硅片金属离子污染效果好,清洗工艺在室温下进行,生产成本低,操作简单。 |
申请公布号 |
CN103013711A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201310013963.0 |
申请日期 |
2013.01.15 |
申请人 |
常州比太科技有限公司 |
发明人 |
上官泉元;解观超;刘金浩;朱广东;潘景伟 |
分类号 |
C11D7/32(2006.01)I;C11D7/60(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I |
主分类号 |
C11D7/32(2006.01)I |
代理机构 |
常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 |
代理人 |
沈毅 |
主权项 |
一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液,其特征是,由以下组分组成:螯合剂1.0×10‑5mol/L ‑1.0×10‑3mol/L,使清洗液PH值范围在2‑4的酸,及去离子水。 |
地址 |
213000 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 |