发明名称 一种栅极改进型IGBT驱动电路
摘要 栅极改进型IGBT驱动电路,涉及一种单电源供电的短路保护的IGBT驱动电路。电气隔离开通电路,两级放大电路、射极跟随器、短路信号检测电路、IGBT短路保护电路及栅极电阻改进电路组成。本发明设计科学合理,利用高速光耦U1实现输入输出信号的电气隔离,能够使驱动电路与控制电路在电位上要严格隔离,而且适合高频应用场合。且本发明中短路保护电路运用集电极退饱和原理,在发生集电极电流过大时,减小IGBT的驱动电压GEV,在IGBT损坏之前,将其关断,从而保护了IGBT。栅极电阻改进电路实现在同一电路中不同要求的开通时间和关断时间。
申请公布号 CN103001620A 申请公布日期 2013.03.27
申请号 CN201210456462.5 申请日期 2012.11.14
申请人 武汉谋智科技信息技术有限公司 发明人 胡圣发
分类号 H03K17/567(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I 主分类号 H03K17/567(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 栅极改进型IGBT驱动电路,其特征在于包括:电气隔离开通电路,两级放大电路、射极跟随器、短路信号检测电路、IGBT短路保护电路及栅极电阻改进电路组成,其中,所述的电气隔离开通电路由高速光耦U1分别与电阻R1、R2、R3、R4、R5连接组成;所述的两级放大电路由三极管T1串并联三极管T2 三极管T3、 三极管T4、三极管 T5连接组成;所述的射极跟随器由三极管T1和R7串联组成;短路信号检测电路由D2、电阻R6、电阻R12 和T6串联组成;所述的IGBT短路保护电路由在IGBT栅源之间并接的双向稳压管 D4和D5,电阻R13和电阻R11组成;所述的栅极电阻改进电路由电阻RG1并联快恢复二极管D1后与电阻RF2连接组成。
地址 430079 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华师园北路7号