| 发明名称 | 固体电解电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及静电电容高且耐热性优异的固体电解电容器。该固体电解电容器包括：阳极(2)；在阳极(2)的表面上设置的电介质层(3)；在电介质层(3)上设置的第一导电性高分子层(4a)；在第一导电性高分子层(4a)上设置的第二导电性高分子层(4b)；在第二导电性高分子层(4b)上设置的第三导电性高分子层(4c)；和在第三导电性高分子层(4c)上设置的阴极层，其特征在于：第一导电性高分子层(4a)由将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第二导电性高分子层(4b)由将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，第三导电性高分子层(4c)由将吡咯或其衍生物电解聚合而形成的导电性高分子膜构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101877281B | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201010214713.X | 申请日期 | 2010.04.28 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 石川彻;藤田政行;佐野健志;原田学 |
| 分类号 | H01G9/15(2006.01)I;H01G9/028(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种固体电解电容器，其包括：阳极；在所述阳极的表面上设置的电介质层；在所述电介质层上设置的第一导电性高分子层；在所述第一导电性高分子层上设置的第二导电性高分子层；在所述第二导电性高分子层上设置的第三导电性高分子层；和在所述第三导电性高分子层上设置的阴极层，其特征在于：所述第一导电性高分子层由通过将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，所述第二导电性高分子层由通过在氧化剂和下述通式(1)表示的添加剂的存在下将噻吩或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，所述第三导电性高分子层由通过将吡咯或其衍生物聚合而形成的导电性高分子膜构成，所述添加剂相对于所述氧化剂的比例为，相对于1摩尔氧化剂，添加剂在0.1～5.0摩尔的范围内，<img file="FSB00000971883600011.GIF" wi="1330" he="339" />其中，上述式(1)中的R1和R2是由C<sub>n</sub>H<sub>(2n+1)</sub>表示的烷基、由C<sub>n</sub>H<sub>(2n+1)</sub>O表示的烷氧基、羧基、羟基、氨基、硝基、烯丙基或芳基，此外，苯环或吡啶环可以由多个R1或R2取代，在该情况下，R1彼此以及R2彼此相同或不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||