| 发明名称 | 一种半导体硅片的热处理工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体硅片的热处理工艺，包括如下步骤：（1）将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（2）热处理炉内通入高纯氩气并将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（3）将半导体硅片整齐水平放入石英舟；（4）打开热处理炉，将承载半导体硅片的石英舟快速推入热处理炉640℃～660℃恒温区处理30-45分钟；（5）打开热处理炉，快速将承载半导体硅片的石英舟拉出热处理炉；（6）快速将石英舟连同半导体硅片置于风冷装置处快速风冷至室温。本发明通过650℃热处理及快速退火越过350~500℃，消除氧施主效应，并抑制热施主效应，同时650℃处理短时间内又不产生新施主效应，因此本发明公布的热处理工艺方法可以得到直拉单晶硅片真实电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN102995125A | 申请公布日期 | 2013.03.27 |
| 申请号 | CN201210388391.X | 申请日期 | 2012.10.12 |
| 申请人 | 孙新利 | 发明人 | 孙新利 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人 | 竺诗忍 |
| 主权项 | 一种半导体硅片的热处理工艺，其特征在于包括如下步骤：（1）将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（2）热处理炉内通入高纯氩气并将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（3）将半导体硅片整齐水平放入石英舟；（4）打开热处理炉，将承载半导体硅片的石英舟快速推入热处理炉640℃～660℃恒温区处理30‑45分钟；（5）打开热处理炉，快速将承载半导体硅片的石英舟拉出热处理炉；（6）快速将石英舟连同半导体硅片置于风冷装置处快速风冷至室温。 | ||
| 地址 | 313199 浙江省湖州市长兴县雉城镇新城丽景41幢2单元102室 | ||