发明名称 | 高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法 | ||
摘要 | 一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,该方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长薄膜电阻、薄膜导带和键合区;接着用同样方式形成热敏电阻薄膜,再用同样方式在热敏电阻薄膜上形成绝缘介质层及芯片粘贴所需的金属化层;然后,将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、其他有源或无源元器件装贴在基片上;最后,采用键合丝进行键合,在特定气氛中将管基和管帽进行密封即得到高灵敏温控薄膜混合集成电路器件。本方法实现了薄膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙接触,且属原子间接触,可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻,以实现高灵敏温度控制。 | ||
申请公布号 | CN102931144A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
申请号 | CN201210396258.9 | 申请日期 | 2012.10.18 |
申请人 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 发明人 | 杨成刚;苏贵东;连云刚 |
分类号 | H01L21/98(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/98(2006.01)I |
代理机构 | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人 | 刘安宁 |
主权项 | 一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,其特征在于该方法是采用薄膜热敏电阻、绝缘介质与温控器件主芯片一体化三维混合集成的方式来实现的,具体集成方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长所需的薄膜电阻、导带和键合区;接着采用薄膜溅射方式或蒸发方式形成热敏电阻薄膜,再用同样的方法在热敏电阻薄膜上形成绝缘介质层及芯片粘贴所需的金属化层;然后,将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、有源或无源元器件直接装贴在基片上;最后,采用键合丝进行键合,完成整个电器连接,最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封即得到所需高灵敏温控薄膜混合集成电路器件。 | ||
地址 | 550018 贵州省贵阳市新添大道北段238号 |