利用具有插入区之间隔遮罩的三倍频方法

摘要

本发明描述制造一半导体遮罩的方法。首先提供拥有由一系列接线组成之牺牲遮罩的半导体堆叠。然后形成拥有毗邻该牺牲遮罩之该系列接线之侧壁的间隔接线之间隔遮罩。该间隔遮罩也拥有插入接线在该等间隔接线之间。最后，除去该牺牲遮罩以仅提供该间隔遮罩。拥有插入接线之该间隔遮罩使得该牺牲遮罩之该系列接线的频率变为三倍。