发明名称 | 一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法,属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层,形成第I中间产物;在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层,形成第II中间产物;在所述第II中间产物的n型晶硅衬底前表面形成n+层,即前表面场形成第III中间产物;对所述第III中间产物进行高温退火,使n型晶硅衬底上形成p+发射结,形成第Ⅳ中间产物;将所述第Ⅳ中间产物氮化硅保护层和所述掺硼非晶硅除去,得到n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场。该方法成本低,并且p+型掺杂的均匀性较好。 | ||
申请公布号 | CN102820382A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
申请号 | CN201210323522.6 | 申请日期 | 2012.09.04 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 贾锐;张巍;陈晨;张代生;金智;刘新宇 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
主权项 | 一种p+掺杂层与n+前表面场的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层,形成第I中间产物;在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层,形成第II中间产物;在所述第II中间产物的n型晶硅衬底前表面形成n+层,即前表面场形成第III中间产物;对所述第III中间产物进行高温退火,使n型晶硅衬底上形成p+发射结,形成第Ⅳ中间产物;将所述第Ⅳ中间产物氮化硅保护层和所述掺硼非晶硅除去,得到n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |