Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Ziel besteht in der Angabe eines Verfahrens zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung, bei dem die zum Entfernen einer Opferoxidschicht erforderliche Zeit verkürzt werden kann und eine Beschädigung einer Oberfläche der Siliziumkarbidschicht vermindert werden kann. Das Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung weist folgende Schritte auf: (a) Ausführen einer Ionenimplantation an einer Siliziumkarbidschicht; (b) Ausführen einer Aktivierungswärmebehandlung an der ionenimplantierten Siliziumkarbidschicht; (c) Entfernen einer Oberflächenschicht der Siliziumkarbidschicht, an der die Aktivierungswärmebehandlung ausgeführt worden ist, durch Trockenätzen; (d) Bilden einer Opferoxidschicht auf einer Oberflächenschicht der Siliziumkarbidschicht, an der das Trockenätzen ausgeführt worden ist, durch Ausführen einer Opferoxidation an dieser; und (e) Entfernen der Opferoxidschicht durch Naßätzen.