发明名称 | 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备 | ||
摘要 | 本发明公开了一种固体摄像装置、其制造方法以及电子设备。所述固体摄像装置包括:基板;光电转换单元,所述光电转换单元形成在所述基板上,所述光电转换单元根据入射光的光量生成并累积信号电荷;垂直的传输栅极电极,所述传输栅极电极被形成得埋入在沟槽部中,所述沟槽部是根据所述光电转换单元的深度从所述基板的一侧表面在深度方向上形成的;以及溢出通道,所述溢出通道形成在所述传输栅极电极的底部,所述溢出通道溢出累积在所述光电转换单元中的信号电荷。根据本发明,在设置有垂直传输晶体管的固体摄像装置中,减小了饱和电荷量的变化,并且提高了产量。 | ||
申请公布号 | CN102693989A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
申请号 | CN201210069193.7 | 申请日期 | 2012.03.15 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 中村良助 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
主权项 | 一种固体摄像装置,所述固体摄像装置包括:基板;光电转换单元,所述光电转换单元形成在所述基板上,所述光电转换单元根据入射光的光量生成并累积信号电荷;垂直的传输栅极电极,所述传输栅极电极被形成得埋入在沟槽部中,所述沟槽部是根据所述光电转换单元的深度从所述基板的一侧表面在深度方向上形成的;以及溢出通道,所述溢出通道形成在所述传输栅极电极的底部,所述溢出通道用于溢出累积在所述光电转换单元中的信号电荷。 | ||
地址 | 日本东京 |