一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备，所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶（Al掺杂的ZnO靶），制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。本征ZnO薄膜掺入Sn之后，其耐腐蚀性得到改善；对Al掺杂的ZnO薄膜掺入Sn之后（Al-Sn共掺的ZnO薄膜）其耐腐蚀性能也得到改善，而且Al-Sn共掺的ZnO薄膜相对于Sn单独掺杂的ZnO薄膜其耐腐蚀性能更好。本方法制作工艺简单，沉积温度低，所用材料和工艺对环境无污染，制得的ZnO薄膜具备耐腐蚀和透明导电功能，可以提高ZnO薄膜材料和器件在恶劣环境下工作的稳定性。

主权项

1.一种耐腐蚀ZnO薄膜，包括ZnO，其特征在于：所制备的薄膜中还含有Sn，所述Sn掺杂ZnO薄膜的电阻率6.99×10^-2Ωcm~1.06×10^-1Ωcm，400~900nm波段的平均透过率为69%~82%，极化电阻6.20×10⁴Ω~1.20×10⁶Ω。