| 发明名称 | 制作ZnO基异质结发光二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5)在ZnO薄膜上制作n型电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101866999B | 申请公布日期 | 2012.09.05 |
| 申请号 | CN201010183370.5 | 申请日期 | 2010.05.19 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张曙光;尹志岗;张兴旺;游经碧 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p‑GaN薄膜；2)在p‑GaN薄膜上生长AlN层；3)在p‑GaN薄膜上生长ZnO薄膜；4)采用湿法腐蚀，将p‑GaN薄膜上的AlN层和ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p‑GaN薄膜，形成台面；5)在p‑GaN薄膜的台面上制作p型电极；6)在ZnO薄膜上制作n型电极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||