半导体存储装置

摘要

本发明公开一种半导体存储装置的多个实施例。在一个示例性实施例中，半导体存储装置可以包括：页尺寸控制单元，被配置为基于页尺寸控制信号而产生具有与多个行选择信号中的一个或多个列选择信号中的一个相对应的电平的第一和第二块使能信号；第一页块，被配置为响应于第一块使能信号而将由多个行选择信号选中的多个第一存储器单元使能，并通过多个列选择信号和选项列选择信号来激活从选中的多个第一存储器单元中选择的存储器单元的数据存取；和第二页块，被配置为响应于第二块使能信号而将由多个行选择信号选中的多个第二存储器单元使能，并通过多个列选择信号和选项列选择信号来激活从选中的多个第二存储器单元中选择的存储器单元的数据存取。

主权项

一种半导体存储装置，包括：行选择信号发生单元，所述行选择信号发生单元被配置为响应于激活脉冲信号而输出行地址作为多个行选择信号；列控制单元，所述列控制单元被配置为基于页尺寸控制信号而选择性地指定并输出列地址的第一或第二列地址比特信号作为比特组织控制信号；列选择信号发生单元，所述列选择信号发生单元被配置为响应于列脉冲信号而输出所述列地址作为多个列选择信号，并输出所述比特组织控制信号作为选项列选择信号；页尺寸控制单元，所述页尺寸控制单元被配置为基于所述页尺寸控制信号而产生第一和第二块使能信号，所述第一和第二块使能信号具有与所述多个行选择信号中的一个或所述多个列选择信号中的一个相对应的电平；第一页块，所述第一页块被配置为响应于所述第一块使能信号而将由所述多个行选择信号所选中的多个第一存储器单元使能，并通过所述多个列选择信号和所述选项列选择信号来激活从选中的所述多个第一存储器单元中选择的存储器单元的数据存取；以及第二页块，所述第二页块被配置为响应于所述第二块使能信号而将由所述多个行选择信号所选中的多个第二存储器单元使能，并通过所述多个列选择信号和所述选项列选择信号来激活从选中的所述多个第二存储器单元中选择的存储器单元的数据存取。