OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
摘要
<p>Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.</p>
申请公布号
WO2012107261(A1)
申请公布日期
2012.08.16
申请号
WO2012EP50713
申请日期
2012.01.18
申请人
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;EIBL, JOHANN;ENGL, KARL;LAMFALUSI, TAMAS;MAUTE, MARKUS
发明人
EIBL, JOHANN;ENGL, KARL;LAMFALUSI, TAMAS;MAUTE, MARKUS