发明名称 |
具有晶片选择构造之半导体晶片以及具有该晶片之层叠半导体封装 |
摘要 |
本发明系揭示一种适用于一层叠半导体晶片之具有一晶片选择构造之半导体晶片,其系包含一半导体晶片体和一晶片选择构造。该晶片选择构造包含一配置于该半导体晶片体上方之晶片选择焊垫、一电性连接至该晶片选择焊垫之主要通过电极、及一插置于该主要通过电极和晶片选择焊垫之间之次要通过电极。具有相同之晶片选择构造之数片半导体晶片,可经由使该层叠半导体晶片位移而加以层叠。 |
申请公布号 |
TWI370534 |
申请公布日期 |
2012.08.11 |
申请号 |
TW097111219 |
申请日期 |
2008.03.28 |
申请人 |
海力士半导体股份有限公司 南韩 |
发明人 |
金圣敏;朴昌濬;韩权焕;金圣哲;李荷娜 |
分类号 |
H01L23/528;H01L23/535;H01L25/04 |
主分类号 |
H01L23/528 |
代理机构 |
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代理人 |
郑再钦 台北市中山区民生东路3段21号10楼 |
主权项 |
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地址 |
南韩 |