发明名称 一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法
摘要 本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用有机二极管作为驱动管,制备工艺简单,占用面积小,方便等比例缩小。本发明的材料均采用柔性透明的材料,除了具有阻变存储器本身的特性外,还具备柔性、透明等优点,尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题,制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。本发明以有机材料取代了传统的昂贵笨重的硅和其他无机材料,是适应未来发展的绿色环保器件,还秉承了有机半导体材料质轻、成本低的优点,而且器件是全透明结构,可通过透明的封装工艺将其制作在透明设备或物品上,尤其可推动新一代显示技术。
申请公布号 CN102569337A 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN201210068383.7 申请日期 2012.03.15
申请人 北京大学 发明人 黄如;白文亮;蔡一茂;唐昱;张兴
分类号 H01L27/24(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L27/24(2006.01)I
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人 张肖琪
主权项 一种柔性透明存储阵列,其特征在于,所述存储阵列包括:柔性透明的衬底(1);形成在衬底上的m个条状的底电极(2);形成在底电极上的PN结(3);形成在PN结上的电极层(4);形成在电极层上的阻变存储层(5);形成在阻变存储层上并与底电极相交叉的n个条状的顶电极(6);穿透阻变存储层和电极层并与底电极相连的引出电极(7);在引出电极和阻变存储层和电极层的侧壁之间的隔离侧墙(8);上述结构均采用柔性透明的材料,m个条状的底电极与n个条状的顶电极相交的部分形成m*n的存储阵列,其中,m和n为自然数。
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