发明名称 |
一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用有机二极管作为驱动管,制备工艺简单,占用面积小,方便等比例缩小。本发明的材料均采用柔性透明的材料,除了具有阻变存储器本身的特性外,还具备柔性、透明等优点,尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题,制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。本发明以有机材料取代了传统的昂贵笨重的硅和其他无机材料,是适应未来发展的绿色环保器件,还秉承了有机半导体材料质轻、成本低的优点,而且器件是全透明结构,可通过透明的封装工艺将其制作在透明设备或物品上,尤其可推动新一代显示技术。 |
申请公布号 |
CN102569337A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210068383.7 |
申请日期 |
2012.03.15 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
黄如;白文亮;蔡一茂;唐昱;张兴 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
张肖琪 |
主权项 |
一种柔性透明存储阵列,其特征在于,所述存储阵列包括:柔性透明的衬底(1);形成在衬底上的m个条状的底电极(2);形成在底电极上的PN结(3);形成在PN结上的电极层(4);形成在电极层上的阻变存储层(5);形成在阻变存储层上并与底电极相交叉的n个条状的顶电极(6);穿透阻变存储层和电极层并与底电极相连的引出电极(7);在引出电极和阻变存储层和电极层的侧壁之间的隔离侧墙(8);上述结构均采用柔性透明的材料,m个条状的底电极与n个条状的顶电极相交的部分形成m*n的存储阵列,其中,m和n为自然数。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |