| 发明名称 | 法拉第屏蔽及等离子体加工设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种法拉第屏蔽及等离子体加工设备，所述法拉第屏蔽包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。本发明的法拉第屏蔽可以减少、甚至完全避免等离子体穿过法拉第屏蔽。 | ||
| 申请公布号 | CN102543636A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010622211.0 | 申请日期 | 2010.12.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 王一帆;武晔;吕铀 |
| 分类号 | H01J37/09(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张天舒;陈源 |
| 主权项 | 一种法拉第屏蔽，包括至少两个并排设置的屏蔽单元，每个所述屏蔽单元包括多个间隔排列设置的屏蔽段，且相邻两屏蔽单元所包括的屏蔽段交错设置，其特征在于，所述屏蔽段均设置有朝向相对应交错设置的屏蔽段的阻挡部，且相对应两交错设置的屏蔽段的阻挡部之间构成屏蔽通道。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 | ||