发明名称 光半导体装置
摘要 本发明公开了一种光半导体装置。目的在于:提供一种使施加在半导体激光芯片的残留应力施加在所希望的方向上且一定的范围内,以提高半导体激光的性能、可靠性,提高批量生产性的光半导体装置。本发明的光半导体装置20,包括:半导体激光芯片21、安装半导体激光芯片21的基台23、和夹在基台23的上表面与半导体激光芯片21的下表面之间的焊剂层24。半导体激光芯片朝上弯曲为凸起的形状。
申请公布号 CN101039014B 申请公布日期 2012.06.06
申请号 CN200710005407.3 申请日期 2007.02.08
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 吉川则之;南尾匡纪;石黑永孝;中西秀行;石田裕之;富田佳宏;福田敏行
分类号 H01S5/022(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01S5/022(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种光半导体装置,其特征在于:包括:发光元件,基台,在上表面安装有上述发光元件,以及连接层,夹在上述基台的上表面与上述发光元件的下表面之间;上述发光元件,朝上弯曲为凸起的形状,上述连接层,含有金及锡,上述发光元件,发出与上述基台的上述上表面大致平行地传播的光;上述连接层中的锡相对于金的比例,是上述发光元件发出的光的光轴方向的中央部的比例高于上述光轴方向的端部的比例;在上述光轴方向的上述中央部,锡的存在多于金的存在。
地址 日本大阪府