半导体发光二极管及其制造方法

摘要

提供了一种半导体发光二极管，该半导体发光二极管包括：半导体层，具有发光结构；欧姆电极，包括位于半导体层上的纳米点层、接触层、防扩散层和覆盖层，其中，纳米点层形成在半导体层的N极表面上，并且由包括Ag、Al和Au中的至少一种的物质形成。还提供了一种半导体发光二极管的制造方法。在这种类型的半导体发光二极管中的具有包括纳米点层/接触层/防扩散层/覆盖层的多层结构的欧姆电极中，纳米点层构成氮化物半导体的N极表面，并且改善电荷注入特性，从而可以获得显著的欧姆特性，同时接触层用作扩散阻挡层并且抑制了由于在氮气气氛热处理时和高温高电流注入条件下产生的热引起的劣化，因此热稳定性优异。

主权项

一种半导体发光二极管，所述半导体发光二极管包括：半导体层，具有发光结构；欧姆电极，具有形成在半导体层上的纳米点层、接触层、防扩散层和覆盖层，其中，纳米点层形成在半导体层的N面上并且由Ag、Al和Au中的至少一种形成，接触层由从Ti、Ti‑Al合金、Ti‑Ni合金、Ta、Al、W和W‑Ti合金中选择的至少一种材料形成，防扩散层由从Cr层、Ru层、Pt层、Ni层、Pd层、Ir层、Rh层和Nb层中选择的至少一种金属层或者从RuOx层、NiOx层、IrOx层、RhOx层、NbOx层、TiOx层、TaOx层和CrOx层中选择的至少一种氧化物层形成，覆盖层由Au和Al中的至少一种形成。