发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种半导体装置及其制造方法,其目的在于解决如下问题:由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化,由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下:通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模,在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边,形成具有膜厚不同的部分的隔离壁,而不增加工序。 |
申请公布号 |
CN1953198B |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN200610137400.2 |
申请日期 |
2006.10.16 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
桑原秀明;大沼英人 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种发光装置,该发光装置在具有绝缘表面的衬底上包括多个发光元件,其特征在于,所述多个发光元件中的每一个包括:第一电极;覆盖该第一电极的端部的隔离壁;形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层;以及形成在所述隔离壁和该包含有机化合物的层上的第二电极,其中所述隔离壁包括突起部,在所述隔离壁的侧面具有凹凸,所述隔离壁在上端部和下端部具有根据位于隔离壁的内部的曲率中心被决定的两个曲面,并且在上端部和下端部之间还具有根据位于隔离壁的外侧的曲率中心被决定的一个曲面。 |
地址 |
日本神奈川县 |