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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-auf-Isolator-(SOI)Bauelements (20) mit einer monokristallinen Siliziumschicht (22), die über einem monokristallinen Siliziumsubstrat (24) angeordnet und davon durch eine dielektrische Schicht (26) getrennt ist, wobei das Verfahren die Schritte umfasst: Bilden eines dielektrischen Isolationsgebiets (30), das sich durch die monokristalline Siliziumschicht erstreckt; Abscheiden eines Gateelektrodenmaterials (39) über der monokristallinen Siliziumschicht (22); Strukturieren des Gateelektrodenmaterials (39), um eine Gateelektrode (40, 42) und einen Abstandshalter (44) zu bilden; Ätzen beabstandeter Öffnungen (48, 50) durch das dielektrische Isolationsgebiet (30) und die dielektrische Schicht (26) unter Anwendung des Abstandshalters (44) als eine Ätzmaske, so dass der Abstand zwischen den Öffnungen (48, 50) durch die Breite des Abstandshalters (44) bestimmt wird; Implantieren von Dotierstoffionen (54, 64) in die monokristalline Siliziumschicht (22) unter Anwendung der Gateelektrode (40, 42) als eine Ionenimplantationsmaske, um ein Sourcegebiet (56, 66) und ein Draingebiet (58, 68) beabstandet voneinander in der monokristallinen Siliziumschicht zu... |
