存储器结构及其编程方法

摘要

说明了一种存储器和对存储器件进行编程的方法。所述方法包括：选择要编程的单元(32)，其中所述单元与位线耦接；施加第一编程脉冲(34)，其中第一编程脉冲包括施加第一电压到所述位线；验证在施加第一编程脉冲之后所述单元是否被编程(36)；以及如果在施加第一编程脉冲之后所述单元没有被编程，则在施加第一编程脉冲之后施加第二编程脉冲到所述位线，其中第二编程脉冲包括施加第二电压到所述位线，其中第二电压与第一电压不同。

主权项

一种用于对存储器件进行编程的方法，该方法包括：选择要编程的单元，其中所述单元与位线耦接；施加第一编程脉冲，其中施加第一编程脉冲包括施加第一电压到所述位线以及施加第三电压到所述单元的阱；验证在施加第一编程脉冲之后所述单元是否被编程；以及如果在施加第一编程脉冲之后所述单元没有被编程，则在施加第一编程脉冲之后施加第二编程脉冲到所述位线，其中施加第二编程脉冲包括施加第二电压到所述位线以及施加第四电压到所述单元的阱，其中第二电压与第一电压不同，并且第四电压大于第三电压。