| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN102422397A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN200980159180.5 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 宫崎富仁;木山诚;堀井拓 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包括：半导体层(1，11)，所述半导体层(1，11)包含氮化镓；以及电极(2，12)，其中，所述电极(2，12)包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，所述连接用电极(8)包含铝且形成在相比于所述电极主体(6)距离所述半导体层(1，11)更远的位置处；以及阻挡层(7)，所述阻挡层(7)形成在所述电极主体(6)和所述连接用电极(8)之间，所述阻挡层(7)包含选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料，并且，所述阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||