| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件及其制造方法。本发明提供的半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的第一导电类型的第一阱区域；在半导体衬底中形成且布置在与第一阱区域相邻的区域中的第二导电类型的外延区域；在外延区域的下部的区域中形成且具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电类型的掩埋区域；在第一阱区域和外延区域之间以及在第一阱区域和掩埋区域之间的边界形成的沟槽；在第一阱上形成的第一半导体元件；以及在外延区域上形成的第二半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102315219A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110191168.1 | 申请日期 | 2011.07.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 疋田智之;桥本尚义 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的第一导电类型的第一阱区域；在半导体衬底中形成且布置在与第一阱区域相邻的区域中的第二导电类型的外延区域；在外延区域的下部的区域中形成且具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电类型的掩埋区域；在第一阱区域和外延区域之间以及在第一阱区域和掩埋区域之间的边界形成的沟槽；在第一阱区域上形成且具有第二导电类型的源极和漏极区域的第一半导体元件；以及在外延区域上形成且具有第一导电类型的源极和漏极区域的第二半导体元件，其中半导体衬底具有比第一阱区域的杂质浓度高的杂质浓度，且沟槽形成为比第一阱区域和掩埋区域深。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||