发明名称 一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法
摘要 一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法,先加工导电模具,在模具上匀胶,再进行探针电极扫描填充,最后阻蚀胶转移,得到具有三维结构的微/纳米图案,本发明使聚合物在模具的不同位置实现不同深度的填充,能够复制出三维微/纳结构。
申请公布号 CN102279519A 申请公布日期 2011.12.14
申请号 CN201110192995.2 申请日期 2011.07.11
申请人 西安交通大学 发明人 丁玉成;邵金友;刘红忠;李祥明;田洪淼;黎相孟
分类号 G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 贺建斌
主权项 一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法,其特征在于,包括下列步骤:1)加工导电模具,在硅片或石英上刻蚀出具有微米或纳米级图案结构,然后在图案结构的表面顺序制备一透明导电层和介电层,透明导电层的厚度为50nm,介电层的厚度为模具腔体宽度的1/10~1/100,透明导电层为氧化铟锡ITO,介电层为SiO2,当导电模具采用硅片时,无需再淀积透明导电层,其介电层通过热氧工艺获得,2)在导电模具上匀胶,在导电模具上旋涂紫外光固化胶、热固化胶或热熔胶,胶的厚度为模具腔体深度的2倍,3)探针电极扫描填充,将探针电极插入或接触阻蚀胶薄膜,在导电模具和探针电极间施加直流电压,电压大小以介电层不被击穿为限,然后移动探针电极,则探针电极扫描过的模具腔体会被聚合物填充进去,4)阻蚀胶转移,将目标基底覆盖在阻蚀胶膜上,然后将阻蚀胶固化,固化后脱模,即可得到具有三维结构的微/纳米图案,目标衬底为硅或石英。
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