发明名称 基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法
摘要 一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法,其方法步骤为:将阵列中的单个透镜的高度等分为n个小微元,利用勾股定理计算出每一等分台阶对应平面圆的直径,将其进行四舍五入的取整处理,使其是DMD单个像素的整数倍。利用成像优化技术设计得到曝光图形,曝光、显影后得到微透镜阵列的浮雕结构。本发明的技术效果是:1、从设计上减小了传统方法给制作器件带来的误差,使微透镜具有更精确的表面轮廓结构,极大改善了微透镜阵列光学使用性能;2、融合数字实时、分形及旋转等成像优化技术,提高了对准精度,并减少了掩膜的数据量,节省大量的存储空间;3、可以保留更多透镜的微细结构,从而在制作方面受透镜表面形状限制更小。
申请公布号 CN102253436A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201110203765.1 申请日期 2011.07.20
申请人 南昌航空大学 发明人 高益庆;钟希欢;罗宁宁
分类号 G02B3/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G02B3/00(2006.01)I
代理机构 南昌洪达专利事务所 36111 代理人 刘凌峰
主权项 1.一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法,其特征是方法步骤为:将阵列中的单个透镜的高度等分为n个小微元,然后根据勾股定理计算出每一等分台阶对应平面圆的直径,并将其进行四舍五入的取整处理,使其是DMD单个像素的整数倍,这样就可以消除DMD的显示失真的误差,根据取整处理后的直径设计出n幅简单的曝光图形,融合数字实时、分形及旋转等成像优化技术后,设计出最终所需要的m幅曝光图形,其中m远小于n,该m幅掩膜图形可以实现前面n幅简单曝光图形的曝光效果,这m幅曝光图形是具有不同透过率的二维掩膜,调制并通过精缩后在抗蚀剂上形成的光强分布为<img file="2011102037651100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="54" he="28" />,令每一幅曝光图形的显示时间为<img file="2011102037651100001DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="13" he="25" />,则可知每一幅曝光图形在抗蚀剂上得到的曝光量分布,把设计好的曝光图形按一定的时间间隔在计算机上显示,进行曝光后实现曝光量累积,显影后在显微镜下可以观察到所设计的微透镜阵列的浮雕结构。
地址 330000 江西省南昌市红谷滩新区丰和南大道696号