Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle aus einem Silizium-Halbleitersubstrat

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle aus einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) eines ersten Dotierungstyps, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Oberflächenreinigung zumindest einer für die Aufbringung einer Emitterschicht (2) vorgesehenen Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates, B Aufbringen einer Emitterschicht (2) eines zweiten, zum ersten entgegengesetzten Dotierungstyps auf die Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates und/oder auf eine oder mehrere die Emitterseite (1a) bedeckende Zwischenschichten, zur Ausbildung eines pn-Übergangs zwischen Emitterschicht (2) und Halbleitersubstrat (1), C Aufbringen einer querleitfähigen Emitterkontaktierungsschicht (3), welche die Emitterschicht (2) und/oder weitere die Emitterschicht (2) bedeckende Zwischenschichten zumindest teilweise überdeckt, wobei Emitterschicht (2) und Emitterkontaktierungsschicht (3) elektrisch leitend verbunden sind und eine Mehrzahl von Basiskontaktierungsbereichen der Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates nicht bedecken und/oder an einer Mehrzahl von Basiskontaktierungsbereichen wieder entfernt werden, Wesentlich ist, dass das Verfahren folgende weitere Verfahrensschritte umfasst: D Aufbringen einer Isolierungsschicht (5) zumindest an den Basiskontaktierungsbereichen auf die Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates und auf die die Basiskontaktierungsbereiche umgebenden Oberflächenbereiche der Emitterschicht (2) und/oder der Emitterkontaktierungsschicht (3), E Öffnen der an einer Mehrzahl von Basishochdotierungsbereichen, wobei jeder Basishochdotierungsbereich (4b) ein Teilbereich eines Basiskontaktierungsbereiches ist und lokales Eintreiben eines Dotierstoffes des ersten Dotierungstyps an den Basishochdotierungsbereichen, wobei das lokale Eintreiben des Dotierstoffes durch lokales Erhitzen zumindest des Halbleitersubstrates an den Basishochdotierungsbereichen erfolgt, F Aufbringen einer oder mehrere Basiskontaktierungsstrukturen mittels eines elektrochemischen Verfahrens, wobei die Basiskontaktierungsstruktur zumindest einen Basishochdotierungsbereich (4b) zumindest teilweise bedeckend und mit dem Halbleitersubstrat (1) elektrisch leitend verbunden ausgebildet wird, G Verstärkung der Basiskontaktierungsstruktur, und dass in den auf Verfahrensschritt B folgenden Verfahrensschritten keine globale Erwärmung der Emitterschicht (2) auf mehr als 250°C erfolgt.