用于对具有减少的编程干扰的NAND类型的非易失性存储器进行编程的以末为先模式

摘要

以会降低受抑制存储器元件的编程干扰发生率的方式对NAND型非易失性存储器进行编程，所述受抑制存储器元件承受增压以减少编程干扰，但会由于其字线位置而经历降低的增压利益。为实现这一结果，调整对所述存储器元件进行编程的字线顺序以便以相对于剩余字线的不同顺序首先对较高字线编程。另外，自增压可用于较高字线，而已擦除区域的自增压或变形可用于剩余的字线。此外，对于在与所述第一字线相关联的非易失性存储器元件之后编程的非易失性存储元件，可在所述自增压之前采用对所述受抑制存储器元件的沟道的预充电。

主权项

一种用于对非易失性存储装置进行编程的方法，其包括：提供第一及第二子组非易失性存储元件，其位于一组非易失性存储元件中，其中所述一组非易失性存储元件布置成多个NAND串；提供包含第一及第二子组字线的多个字线，其按从第一字线到最后一个字线的顺序延伸，其中将所述第一字线布置在所述组的源极侧处，且将所述最后一个字线布置在所述组的漏极侧处；使用所述第一子组多个字线对一组非易失性存储元件中的所述第一子组非易失性存储元件进行编程，从所述最后一个字线开始，按照与所述多个字线的所述延伸顺序相反的顺序对所述第一子组非易失性存储元件进行编程；及在所述对所述第一子组非易失性存储元件编程后，使用所述第二子组多个字线对所述组中的所述第二子组非易失性存储元件进行编程，其中从所述第一字线开始，按照与所述多个字线的所述延伸顺序对所述第二子组非易失性存储元件进行编程。