半导体装置

摘要

一种半导体装置，在有效地抑制了蚀刻的偏差和邻近效应的情况下，不会引起层间绝缘膜的冲击击穿。设有具有收纳在元件分离区域(3a)的绝缘体的表面形状内的形状、在元件分离区域(3a)的绝缘体上由栅极层构成的假图形(7b)，假图形(7b)设置在包含比栅极层配置在上层上的布线层(10a)的正下方的下层上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，在半导体基板上层叠有多层的层间绝缘膜，在最底层的层间绝缘膜中设有由栅极层构成的假图形，在其余的层间绝缘膜中设有布线，所述布线形成为阶梯形状，所述假图形的形状收纳于所述半导体基板的表面形状内，在从所述半导体基板的表面到最下层的布线层的间隔不到0.7um的情况下，在除了所述最下层的布线层之外的布线层的正下方设置所述假图形；在从所述半导体基板的表面到所述最下层的布线层的间隔为0.7um以上的情况下，在所有布线层的正下方设置所述假图形。