| 发明名称 | 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法，该二极管至少包括n型电子注入层、耦合多量子阱结构有源层和p型空穴注入层；所述耦合多量子阱结构有源层包括接近n型电子注入层的电子注入加强量子阱层，接近p型空穴注入层的空穴注入加强量子阱层以及在这两个注入加强量子阱层中间的复合量子阱区层；所述电子/空穴注入加强区层中的势垒宽度小于复合量子阱区层中的势垒宽度。本发明还包括了该发光二极管的制作方法。本发明的优势在于利用有源层中量子阱的电子基态能量的变化分布，分别同时提高了电子和空穴载流子隧穿注入到有源区层的效率，从而增加了发光二极管的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102157656A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110027942.5 | 申请日期 | 2011.01.26 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 江灏;王钢;黄善津 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张春耀 |
| 主权项 | 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管，其特征在于至少包括：n型电子注入层(14)、耦合多量子阱结构有源层(15)和p型空穴注入层(17)；所述耦合多量子阱结构有源层(15)包括接近n型电子注入层(14)的电子注入加强量子阱层(51)，接近p型空穴注入层(17)的空穴注入加强量子阱层(53)以及在这两个注入加强量子阱层(51、53)中间的复合量子阱区层(52)；所述两个注入加强量子阱层(51、53)通过电子基态能量逐渐改变的多量子阱结构，使载流子趋向于注入复合量子阱区层(52)。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 | ||