| 发明名称 | 一种基于单晶硅衬底上多孔金字塔结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于单晶硅衬底上多孔金字塔结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：先用传统太阳能电池制绒方法在单晶硅衬底上制备金字塔结构，再利用等离子体浸没离子注入方法在金字塔结构上制备纳米结构，从而在单晶硅衬底表面形成多孔金字塔结构。本发明在单晶硅衬底上制备多孔金字塔结构，只需两步工艺即可完成，制造过程简单，成本低，有广阔的产业化前景；同时，利用本发明方法在单晶硅表面制备的多孔金字塔结构，降低了单晶硅表面的反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN102140697A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010611615.X | 申请日期 | 2010.12.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司 | 发明人 | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;李勇滔;陈瑶;沈泽南 |
| 分类号 | C30B33/08(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种基于单晶硅衬底上多孔金字塔结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：先用传统太阳能电池制绒方法在单晶硅衬底上制备金字塔结构，再利用等离子体浸没离子注入方法在所述金字塔结构上制备纳米结构，从而在所述单晶硅衬底表面形成多孔金字塔结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||