发明名称 |
一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法,采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液,在硅太阳电池片迎光面上,丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液,烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全,在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度,再进行二次常规热处理退火,实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点,具有较大的应用前景。 |
申请公布号 |
CN102142483A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201110004974.3 |
申请日期 |
2011.01.11 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
余学功;顾鑫;杨德仁;许敬琳;雷东;曾令胜;叶浩挺 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;B05D5/02(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;B05D3/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将颗粒尺寸为20‑200nm的金属纳米颗粒分散在醇溶剂中,制备得到金属纳米颗粒的浓度为0.001‑0.9摩尔/升的金属纳米颗粒胶体溶液;(2)在硅太阳电池片的迎光面上,丝网印刷或喷淋或旋涂由步骤(1)制得的金属纳米颗粒胶体溶液,在100‑150℃下烘烤,使醇溶剂从电池片表面挥发完全;(3)将步骤(2)得到的电池片在保护气体氛围下,200~500℃的退火温度,进行快速热处理,所述的保护气体为氮气、氩气和氢气中的一种或多种,快速热处理时间为10‑60s;(4)将步骤(3)得到的电池片在保护气体氛围下,150~400℃的退火温度,进行常规热处理,所述的保护气体为氮气、氩气和氢气中的一种或多种,常规热处理时间为0.3‑4h。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |