发明名称 非接触式模板约束下的电场诱导微复型方法
摘要 本发明属于微纳制造技术领域,具体涉及一种在电场的诱导下的微复型方法。包括如下步骤:1)模板的制备:在SiO2基材上沉积导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃制备图形化模板;2)在SiO2基材表面蒸镀导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃;3)在SiO2基材表面涂铺阻蚀胶;4)将制备好的模板压在阻蚀胶层上;5)外接直流电源:使阻蚀胶产生流变;6)进行电场诱导微复型;7)紫外线曝光固化阻蚀胶,得到所需的微纳结构。由于本发明的方法加工成本低,所需时间短,提高了生产效率,可应用于各种MEMS/NEMS(微米级机电系统/纳米级机电系统)器件的加工,如微流控器件、微传感器、微致动器件、光栅、微型生物芯片、光电子器件、太阳能电池等。
申请公布号 CN101446762B 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN200810236561.6 申请日期 2008.12.31
申请人 西安交通大学 发明人 刘红忠;丁玉成;李欣;蒋维涛
分类号 G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 徐文权
主权项 一种非接触式模板约束下的电场诱导微复型方法,其特征在于,包括如下步骤:1)模板的制备:在第一SiO2基材上沉积第一导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃制备图形化模板,模板的表面形状按照所需微纳结构的图形进行设计,具体步骤为:用溅射沉积设备在第一SiO2基材上溅射沉积第一导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层,并在该层上用光刻工艺加工出图形结构,最后用溅射沉积设备在图形结构两侧加工出二氧化硅制的支撑部分,得到模板;2)在第二SiO2基材表面蒸镀第二导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃:用溅射沉积设备在第二SiO2基材表面蒸镀第二导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层;3)在第二导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层表面涂铺阻蚀胶:用匀胶机在第二导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层表面旋涂光固化阻蚀胶,阻蚀胶的厚度为纳米级至微米级;4)将制备好的模板压在阻蚀胶层上:以20MPa的压力P将制备好的模板压在阻蚀胶上,使模板的支撑部分的底部紧贴在阻蚀胶上,以保证模板和阻蚀胶之间的空隙尺寸相当于支撑部分的高度;5)外接直流电源:采用直流电源,电压调节范围0‑100V,在模板的第一导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层处接直流电源的阳极,在涂铺有阻蚀胶的第二导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层处接直流电源的阴极,调整电压大小,使静电场产生的静电力增大至克服液态阻蚀胶的表面张力使阻蚀胶产生流变;6)进行电场诱导微复型:使液态阻蚀胶在稳定电压值的电场下保持0.25小时至24小时,直至微复型过程结束,形成微复型结构;7)紫外线曝光固化阻蚀胶:采用紫外固化设备产生紫外线对得到的微复型结构进行曝光处理,使阻蚀胶固化,脱去模板,即可得到所需的微纳结构。
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