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一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，其上具有一导电层；于该基底及该导电层上形成一复合层，其中该复合层包含一介电层及一位于该介电层下的旋转涂布玻璃层；穿过该复合层形成一介质孔，其中该介质孔暴露出该导电层之表面，该介质孔的侧壁具有一位于该旋转涂布玻璃层的底切凹陷；于该介质孔之侧壁上形成一保护层，以覆盖该底切凹陷，从而避免来自该旋转涂布玻璃层所造成之释气现象；于该介质孔内之该保护层与该导电层上形成一阻障层；以及于该介质孔内之该阻障层上沉积一金属层以填充该介质孔。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该复合层包含复数个介电层，及在该些介电层之间至少含有一旋转涂布玻璃层。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该介电层包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、多晶氟化碳、或其组合所组成。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该介电层系由电浆辅助化学气相沉积法形成。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该旋转涂布玻璃层包含有机材料。如申请专利范围第5项所述之半导体装置的制造方法，其中有机材料包含矽氧烷。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该旋转涂布玻璃层包含无机材料。如申请专利范围第7项所述之半导体装置的制造方法，其中无机材料包含矽酸盐。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中于该介质孔之侧壁上形成该保护层的步骤包含：顺应性地于该介质孔之侧壁及底部上形成一保护层，并延伸至该复合层之上表面；以及实施一蚀刻制程以移除一部份的该保护层，直至该介质孔内之该导电层的表面露出。如申请专利范围第9项所述之半导体装置的制造方法，其中该蚀刻制程包含一乾蚀刻制程。如申请专利范围第9项所述之半导体装置的制造方法，其中该保护层包含衬底氧化层。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中衬底氧化层包含氮氧矽化合物。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中衬底氧化层系以化学气相沉积法形成。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中衬底氧化层的厚度为介于50埃至350埃。如申请专利范围第11项所述之半导体装置的制造方法，其中于该介质孔内，于该复合层上之衬底氧化层的蚀刻速率对于该导电层上之衬底氧化层的蚀刻速率，其比值为约5至约20。 |
