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Dispositivo óptico (1) que comprende: un primer electrodo (4); un segundo electrodo (5), siendo el primer y/o el segundo electrodo (4, 5) por lo menos parcialmente transmisivos en una primera gama de longitudes de onda; un elemento activo (3) que presenta una unión-np que se dispone entre el primer y el segundo electrodo (4, 5); comprendiendo el elemento activo (3) una pluralidad de estructuras semiconductoras (6) que crecen en una dirección longitudinal fuera de una superficie plana sobre el primer electrodo (4) y estando en contacto eléctrico con el primer y el segundo electrodo (4, 5); caracterizado por el hecho de que: cada estructura semiconductora (6) comprende una parte a modo de placa en la cual una anchura de la estructura en una primera dirección a través de la superficie plana es mayor que un grosor de la estructura en una segunda dirección a través de la superficie plana que es ortogonal a la primera dirección, y en el que la parte a modo de placa incluye una zona cónica en la cual la anchura de la estructura disminuye a medida que se aproxima al segundo electrodo (5).
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