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发明名称 Einstellen eines nicht-Siliziumanteils in einer Halbleiterlegierung während der FET-Transistorherstellung mittels eines Zwischenoxidationsprozesses
摘要
申请公布号 DE102009010883(B4) 申请公布日期 2011.05.26
申请号 DE200910010883 申请日期 2009.02.27
申请人 AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. 发明人 KRONHOLZ, STEPHAN;PAPAGEORGIOU, VASSILIOS;TRENTZSCH, MARTIN
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/165 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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