电流注入/隧穿发光器件和方法

摘要

本发明提出了一种设备及其制造方法。一些实施例包括发光器件，所述发光器件包括：发光有源区；与有源区面相邻的隧穿势垒(TB)结构；与所述TB结构面相邻的TB外延生长金属镜(TB-GEMM)结构，其中所述TB-GEMM结构包括至少一种金属，并且与所述有源区实质上晶格匹配；以及与所述TB结构相对地与所述有源区面相邻的导电型III族氮化物晶体结构。在一些实施例中，所述有源区包括多MQW结构。在一些实施例中，所述TB-GEMM结构包括合金成分，使得金属电流注入体具有实质上等于MQW的子带最小能势的费米能势。一些实施例还包括第二镜(可选地GEMM)，以在第二镜和TB-GEMM结构之间形成光学腔。在一些实施例中，至少一种GEMM沉积到衬底上，并且与所述衬底晶格匹配。

主权项

一种包括发光器件的设备，所述发光器件包括：发光有源区；与有源区面相邻的隧穿势垒TB结构；与所述TB结构面相邻的TB外延生长金属镜TB‑GEMM结构，其中所述TB‑GEMM结构包括至少一种金属，并且与所述有源区实质上晶格匹配；与所述TB结构相对地与所述有源区面相邻的导电型III族氮化物晶体结构；以及与所述导电型III族氮化物结构电连接的电流传导接触区。