发明名称 | 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 | ||
摘要 | 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域,公开一种采用GaAs增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法,利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的DC~10GHz SPDT MMIC,将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成于同一芯片内,基本实现逻辑电路与开关电路的集成,整个电路只需要1位控制信号,有效的减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。发明具有成效明显,工艺设计简单易行,经济适用和可靠性强的优点,容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采用和推广。 | ||
申请公布号 | CN101540296B | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
申请号 | CN200810102206.X | 申请日期 | 2008.03.19 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黎明;张海英;徐静波;付晓君 |
分类号 | H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法,其特征在于,该方法包括:对GaAs基应变高电子迁移率晶体管外延片进行预处理;对源漏进行光刻,蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触,实现源漏的制备;腐蚀InGaAs帽层,形成增强型栅极,实现栅极的制备;采用PECVD生长一层SiN介质,溅射NiCr合金制作电阻;刻孔,蒸发一次布线金属,采用PECVD生长一层SiN介质,然后在SF6气体氛围下进行等离子光刻进行二次刻孔,并光刻布线,蒸发第二次布线金属Ti/Au;常规金属剥离形成金属图形。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |