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一种半导体制程设备之蚀刻液回收方法，用于一制程设备，该制程设备提供一蚀刻液，并在一晶圆上进行一蚀刻程序，该蚀刻液回收方法包括下列步骤：在完成该蚀刻程序后，加入一水溶液至该蚀刻液中以维持该蚀刻液之水含量；以及回收混合后之该蚀刻液。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中在加入一水溶液至该蚀刻液之步骤中包括：根据该晶圆在该蚀刻程序中所消耗之水含量，调整该水溶液之多寡。如申请专利范围第2项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中在该蚀刻程序中所消耗之水含量为3.15cc/片。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中在完成该蚀刻程序后更包括进行一旋乾动作，用以移除该晶圆上剩余之该蚀刻液，且在进行该旋乾动作的同时加入一水溶液至该蚀刻液。如申请专利范围第4项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中移除该晶圆上剩余之该蚀刻液的方法包括旋乾法。如申请专利范围第5项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中移除该晶圆上剩余之该蚀刻液的旋乾时间为5秒。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中该水溶液包括去离子水。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中包括下列步骤：将该蚀刻液喷洒于该晶圆上，以进行该蚀刻程序。如申请专利范围第8项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中该蚀刻程序的时间长度包括90秒。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中该蚀刻液的成分包括ATMI ST-250。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中在加入该水溶液至该蚀刻液中以维持该蚀刻液之水含量之步骤中，包括使该蚀刻液中水的重量百分比浓度范围维持在30wt%至39%wt。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中该半导体制程设备包括一蚀刻装置。如申请专利范围第12项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中该蚀刻装置的机台型号包括SEZ 4300。如申请专利范围第1项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中在加入该水溶液至该蚀刻液中以维持该蚀刻液之水含量之步骤中，更包括进行下列步骤：侦测该半导体制程设备的一重置时间是否大于一预定时间，若该重置时间大于一预定时间，则表示该半导体制程设备完成蚀刻程序。如申请专利范围第14项所述之半导体制程设备之蚀刻液回收方法，其中该预定时间为45秒。一种蚀刻装置，包括：一蚀刻反应室；一蚀刻液储存系统，该蚀刻液储存系统连结至该蚀刻反应室，用以提供一蚀刻液至该蚀刻反应室并回收该蚀刻液；以及一水溶液储存系统，该水溶液储存系统连结至该蚀刻反应室；其中，当该蚀刻装置回收该蚀刻液时，该水溶液储存系统加入一水溶液至该蚀刻液中，以维持该蚀刻液中之水含量。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中该水溶液储存系统包括：一水溶液储存槽，该水溶液储存槽内具有一水溶液；一管路，该管路连接该水溶液储存槽与该蚀刻反应室，以注入该水溶液于该蚀刻反应室中；一空气阀，该空气阀配置于该管路上，以控制该管路之一流通时间；以及一流速控制器，该流速控制器配置于该管路上，以控制该水溶液流速；其中，当该蚀刻装置回收该蚀刻液时，该空气阀导通，使该水溶液储存系统加入一水溶液至该蚀刻液中。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中该水溶液包括去离子水。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中该蚀刻反应室内具有一吸盘。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中该蚀刻液的成分包括ATMI ST-250。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中在加入该水溶液至该蚀刻液中以维持该蚀刻液之水含量之步骤中，包括使该蚀刻液中水的重量百分比浓度范围维持在30wt%至39%wt。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中该蚀刻装置的机台型号包括SEZ 4300。如申请专利范围第16项所述之蚀刻装置，其中在加入该水溶液至该蚀刻液中以维持该蚀刻液之水含量之步骤中，更包括进行下列步骤：侦测该蚀刻装置的一重置时间是否大于一预定时间，若该重置时间大于一预定时间，则表示该蚀刻装置完成蚀刻程序。如申请专利范围第23项所述之蚀刻装置，其中该预定时间为45秒。 |
