| 发明名称 | 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101527308B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200910049111.0 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 李永富;龚海梅;李雪;唐恒敬;张可锋;李淘;宁锦华;张燕;朱耀明;姜佩璐 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 一种平面结构InGaAs阵列红外探测器芯片，探测器芯片结构为在N-InP衬底(1)上依次生长N型InP缓冲层(2)、In0.53Ga0.47As本征吸收层(3)、N型InP帽层(4)和SiO2扩散掩膜(5)及SiO2钝化层，采用小扩散孔(7)扩散，通过掺杂源Zn3P2在530℃温度下扩散形成PN结区(8)，在PN结区(8)电子束蒸发单层Au用作P接触电极(9)，在SiO2钝化层上生长环形遮盖电极(11)，衬底(1)抛光的背面蒸发单层Au用作N电极层(12)，其特征在于：所述的探测器芯片在各个光敏面之间还有一个浅隔离槽与保护环(6)，其槽深至In0.53Ga0.47As本征吸收层(3)中，在浅隔离槽区通过闭管扩散形成与浅隔离槽一体的保护环，在保护环区有保护环电极(10)。 | ||
| 地址 | 200083 上海市玉田路500号 | ||