发明名称 |
射频功率放大器电路 |
摘要 |
本发明公开了一种射频功率放大器电路,其包括偏置电路和放大电路,在偏置电路中设计电阻补偿结构,加入补偿电阻。所加入的补偿电阻起到两个作用:1.增加偏置电路的电压补偿作用,降低电路对偏置电压的依赖性;2.增强偏置电路的温度补偿作用。由于偏置电压改变或温度改变而导致NPN管Q4和Q5或者Q7和Q8的电流的变化,由电流变化引起的基极与集电极之间电压VBE的变化量能有效地被RX1或RX2两端的电压降变化量所补偿,从而使电路对偏置电压和温度不敏感。 |
申请公布号 |
CN101394152B |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200710094091.X |
申请日期 |
2007.09.20 |
申请人 |
锐迪科科技有限公司 |
发明人 |
陈俊;谢利刚 |
分类号 |
H03F3/21(2006.01)I;H03F1/30(2006.01)I;H03F3/19(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/21(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
陈平 |
主权项 |
一种射频功率放大器电路,包括偏置电路和放大电路,所述放大电路包括NPN管Q3,所述NPN管Q3的发射极接地,所述NPN管Q3的基极通过一电容Cin连接输入信号,所述NPN管Q3的集电极连接电源端VCC,同时通过一电容Cout之后作为信号输出端,其特征在于,所述偏置电路包括三个NPN管Q4、Q5和Q6,所述NPN管Q4的集电极与电压偏置端VBIAS之间串联连接有电阻R2和补偿电阻RX1,其中电阻R2靠近所述电压偏置端VBIAS,补偿电阻RX1靠近所述NPN管Q4的集电极,所述NPN管Q4的基极连接到所述补偿电阻RX1与电阻R2相连接的一端,所述NPN管Q4的发射极连接到所述NPN管Q5的集电极,所述NPN管Q5的基极连接到其自身的集电极,所述NPN管Q5的发射极接地,所述NPN管Q4的集电极还连接到所述NPN管Q6的基极,所述NPN管Q6的集电极连接到偏置电路电源端VCB,所述NPN管Q6的发射极连接到所述放大电路的NPN管Q3的基极。 |
地址 |
香港花园道1号中银大厦22楼 |