真空规管;VACUUM GAUGE

摘要

本发明提供一种真空规管，其包括：一阴极单元，一阳极，一屏蔽极，一离子引出极，一反射极及一收集极。该屏蔽极一端与该阴极单元相对应，该屏蔽极另一端与该离子引出极相对应。该离子引出极中心开设一离子引出孔。该反射极为曲面结构，该曲面围住屏蔽极靠近离子引出极之一侧。该收集极设置于该反射极曲面结构底部，并指向离子引出孔。该阳极固定于屏蔽极中间内部。本发明真空规管结合鞍场规及分离规之优点，具有体积小、功耗小、结构简单及灵敏度高之优点。

主权项

1.一种真空规管，其包括：一阴极单元、一阳极、一收集极、一屏蔽极、一离子引出极及一反射极；该屏蔽极一端与该阴极单元相对应，该屏蔽极另一端与该离子引出极相对应；该离子引出极中心开设一离子引出孔；该反射极为曲面结构，该曲面围住屏蔽极靠近离子引出极之一侧；该收集极设置于该反射极曲面结构底部，并指向离子引出孔；该阳极固定于屏蔽极内部。 ;2.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之真空规管进一步包括一设置于阴极单元与屏蔽极之间之电子引入极。 ;3.如申请专利范围第2项所述之真空规管，其中，所述之电子引入极中心开设一电子引入孔。 ;4.如申请专利范围第3项所述之真空规管，其中，所述之电子引入孔与离子引出孔直径相同。 ;5.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之阴极单元包括热阴极或冷阴极，能够发射电子进入屏蔽极。 ;6.如申请专利范围第5项所述之真空规管，其中，所述之热阴极包括一灯丝及复数灯丝支撑杆。 ;7.如申请专利范围第5项所述之真空规管，其中，所述之冷阴极包括一基底及一形成于该基底表面之场发射阵列。 ;8.如申请专利范围第7项所述之真空规管，其中，所述之冷阴极进一步包括一与该场发射阵列相对应之栅极。 ;9.如申请专利范围第8项所述之真空规管，其中，所述之栅极采用金属环，金属孔或金属网。 ;10.如申请专利范围第7项所述之真空规管，其中，所述之场发射阵列材料选用各种金属尖、非金属尖、化合物尖、各种适宜于场发射之奈米管状结构、奈米杆状结构，或各种薄膜。 ;11.如申请专利范围第10项所述之真空规管，其中，所述之薄膜为金刚石薄膜。 ;12.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之屏蔽极为圆筒形结构。 ;13.如申请专利范围第12项所述之真空规管，其中，所述之圆筒直径18毫米，长18毫米。 ;14.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之屏蔽极接地。 ;15.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之反射极之曲面结构为半球面结构。 ;16.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之反射极设置一个正电位，以反射离子。 ;17.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之收集极为一细金属丝。 ;18.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之收集极设置零电位。 ;19.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之阳极为一阳极环。 ;20.如申请专利范围第19项所述之真空规管，其中，所述之阳极环为细金属丝弯成。 ;21.如申请专利范围第19项所述之真空规管，其中，所述之阳极环具1000伏高压，于屏蔽极内形成鞍电场。 ;22.如申请专利范围第1项所述之真空规管，其中，所述之阳极、离子引出极、反射极及收集极皆以屏蔽极轴身线中心对称。;第一图系先前分离规管之局部剖面示意图。;第二图系先前鞍场电离规管之示意图。;第三图系本发明第一实施例之真空规管结构示意图。;第四图系本发明第二实施例之真空规管结构示意图。