改变读取参考电流以存取具有读取错误之非挥发记忆体的装置与方法;METHOD AND APPARATUS FOR ACCESSING NONVOLATILE MEMORY WITH READ ERROR BY CHANGING READ REFERENCE

摘要

本发明揭露一非挥发记忆积体电路的一读取参考值改变，以回应与一先前程式化资料位元相关的一先前产生之一检查码与回应一读取命令而产生之一新检查码之间的不一致。

主权项

1.一种读取非挥发记忆体的方法，包含：回应至一接收一读取命令的非挥发记忆积体电路，该非挥发记忆积体电路进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的复数个非挥发资料位元来产生一第一检查码；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的一第二检查码，其系作为与该复数个非挥发资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。 ;2.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该至少一参考值是一参考电流。 ;3.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该至少一参考值是一参考电压。 ;4.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该第一检查码与该第二检查码是错误更正码。 ;5.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该第一检查码与该第二检查码是错误侦测码。 ;6.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发记忆积体电路更进行：于该改变至少一参考值之后，根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生一更新第一检查码。 ;7.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发记忆积体电路更进行：于该改变至少一参考值之后，进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生该第一检查码；以及检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。 ;8.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发记忆积体电路更进行：于该改变至少一参考值之后，进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生该第一检查码；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该第二检查码，其系作为与该复数个非挥发资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；以及检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。 ;9.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发记忆积体电路更进行：于该改变至少一参考值之后，进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生该第一检查码；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该第二检查码，其系作为与该复数个非挥发资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；以及回应该第一检查码与该第二检查码间的另一不相符，改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元该至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。 ;10.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发记忆积体电路更进行：于该改变至少一参考值之后，进行：直到自一系列检查该第一检查码与该第二检查码相符前，反覆地改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元该至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。 ;11.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该至少一参考值区别该逻辑准位的至少一第一逻辑准位与一第二逻辑准位，该第一逻辑准位与相较于该第二逻辑准位为高的临界电压相关，且该改变至少一参考值包含：改变至少一参考值，使得与该第一逻辑准位相关的临界电压一第一范围变宽而与该第二逻辑准位相关的临界电压一第二范围变窄。 ;12.如申请专利范围第1项所述之方法，其中该至少一参考值区别该逻辑准位的至少一第一逻辑准位与一第二逻辑准位，该第一逻辑准位与相较于该第二逻辑准位为高的临界电压相关，且该改变至少一参考值包含：改变至少一参考值，使得与该第一逻辑准位相关的临界电压一第一范围变窄而与该第二逻辑准位相关的临界电压一第二范围变宽。 ;13.一种非挥发记忆积体电路，包含：一非挥发记忆阵列；以及控制电路耦接至该非挥发记忆阵列，该控制电路进行下列步骤来回应给该非挥发记忆积体电路所接收的一读取命令：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的复数个非挥发资料位元来产生一第一检查码；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的一第二检查码，其系作为与该复数个非挥发资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。 ;14.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该至少一参考值是一参考电流。 ;15.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该至少一参考值是一参考电压。 ;16.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该第一检查码与该第二检查码是错误更正码。 ;17.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该第一检查码与该第二检查码是错误侦测码。 ;18.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该控制电路更进行下列步骤来回应至接收该读取命令的该非挥发记忆积体电路：于改变至少一参考值之后，根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生一更新第一检查码。 ;19.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该控制电路更进行下列步骤来回应至接收该读取命令的该非挥发记忆积体电路：于该改变至少一参考值之后，进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生该第一检查码；以及检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。 ;20.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该控制电路更进行下列步骤来回应至接收该读取命令的该非挥发记忆积体电路：于该改变至少一参考值之后，进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生该第一检查码；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该第二检查码，其系作为与该复数个非挥发资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；以及检查该第一检查码与该第二检查码是否相符。 ;21.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该控制电路更进行下列步骤来回应至接收该读取命令的该非挥发记忆积体电路：于该改变至少一参考值之后，进行：根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元，使用该至少一参考值来产生该第一检查码；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该第二检查码，其系作为与该复数个非挥发资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；以及回应该第一检查码与该第二检查码间的另一不相符，改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元该至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。 ;22.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该控制电路更进行下列步骤来回应至接收该读取命令的该非挥发记忆积体电路：于该改变至少一参考值之后，进行：直到自一系列检查该第一检查码与该第二检查码是否相符得到成功地结果，反覆地改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元该至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。 ;23.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该至少一参考值区别该逻辑准位的至少一第一逻辑准位与一第二逻辑准位，该第一逻辑准位与相较于该第二逻辑准位为高的临界电压相关，且该改变至少一参考值包含：改变至少一参考值，使得与该第一逻辑准位相关的临界电压一第一范围变宽而与该第二逻辑准位相关的临界电压一第二范围变窄。 ;24.如申请专利范围第13项所述之积体电路，其中该至少一参考值区别该逻辑准位的至少一第一逻辑准位与一第二逻辑准位，该第一逻辑准位与相较于该第二逻辑准位为高的临界电压相关，且该改变至少一参考值包含：改变至少一参考值，使得与该第一逻辑准位相关的临界电压一第一范围变窄而与该第二逻辑准位相关的临界电压一第二范围变宽。 ;25.一种非挥发记忆积体电路，包含：一非挥发记忆阵列功能手段；以及控制电路功能手段耦接至该非挥发记忆阵列功能手段，该控制电路功能手段回应给该非挥发记忆积体电路所接收的一读取命令，包含：产生一第一检查码功能手段，系根据存取储存于该非挥发记忆积体电路中的复数个非挥发资料位元；存取储存于该非挥发记忆积体电路中的一第二检查码功能手段，其系作为与该复数个资料位元相关的复数个非挥发资料检查位元；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符功能手段；回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符功能手段，以改变施加至存取储存于该非挥发记忆积体电路中的该复数个非挥发资料位元至少一参考值，以区别该复数个非挥发资料位元所代表的逻辑准位。;第1图为一程式化命令的一范例流程图，显示程式化资料以及根据该资料的一检查码。;第2图为一读取命令的一范例流程图，显示一读取参考电流改变以回应一先前产生及程式化检查码与一新检查码之间的不一致。;第3图为显示一例示的临界电压演算法。;第4图显示另一例示的临界电压演算法，其类似于第3图但是具有一改变后的参考电流，系不同于第3图对一低临界电压分布较为有利。;第5图显示另一例示的临界电压演算法，其类似于第3图但是具有另一改变后的参考电流，系不同于第3图对一高临界电压分布较为有利。;第6图为根据本发明之一实施例的一非挥发记忆积体积体电路的简化一例示方块示意图，其回应一个错误而改变读取参考值，例如是前述之检查码间的不相符。