发明名称 | 利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的方法 | ||
摘要 | 利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的方法,包括以下步骤:首先将泵浦光纤进行小角度端面磨抛,并在其磨抛斜面均匀贴上低熔点介质,再将其贴紧双包层光纤内包层的侧平面,然后用氢氧焰或CO2激光器、丙烷气、微粒子喷灯等加热熔接区域的低熔点介质,将两根光纤熔接。所述低熔点介质是指熔点低于光纤的熔接介质,包括低熔点玻璃、低熔点石英和玻璃光纤等。本发明通过采用低熔点介质作为熔接介质,故可以在温度远低于光纤熔点的情况下完成熔接,而不会引起光纤纤芯结构的微形变,从而提高信号光的耦合效率。 | ||
申请公布号 | CN101750677A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
申请号 | CN201010034310.7 | 申请日期 | 2010.01.15 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 闫平;巩马理;郝金坪;张海涛;柳强;黄磊 |
分类号 | G02B6/255(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/255(2006.01)I |
代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 朱琨 |
主权项 | 利用低熔点介质实现光纤侧面熔接耦合的方法,其特征在于,是一种采用低熔点介质熔接泵浦光纤的端面和包括双包层在内的多包层光纤侧面的熔接耦合方法,依次含有以下步骤:步骤(1),分别将待熔接的双包层光纤和泵浦光纤进行预处理,露出内包层;步骤(1.1),除去所述双包层光纤表面待制作熔接侧面处的涂覆层,露出内包层;步骤(1.2),除去所述泵浦光纤表面靠近磨抛端一段的涂敷层,并将该磨抛段的端面按照5°~30°角进行端面磨抛;步骤(2),在距离所述双包层光纤包层的待熔接平面0.5mm~3mm处,平行放置所述泵浦光纤的已磨抛端面;步骤(3),在所述泵浦光纤的已磨抛端面均匀贴上粒状或片状,熔点低于石英制光纤的低熔点玻璃,并把所述片状低熔点玻璃片紧贴所述双包层光纤包层的待熔接平面;步骤(4),用CO2激光器加热所述待熔接区域的低熔点玻璃,在熔接过程中,始终保持紧贴状态,从而实现所述泵浦光纤和双包层光纤的熔接。 | ||
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