发明名称 |
磁性隧道结结构、磁性随机存取存储单元、及光掩模 |
摘要 |
本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。 |
申请公布号 |
CN1734662B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200510081709.X |
申请日期 |
2005.04.19 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
河永奇;李将银;吴世忠;裵晙洙;金炫助;南坰兑 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
一种磁性隧道结结构,其具有堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形,至少该自由层图形包括:方形的主体,它具有彼此相对的第一和第二侧边、从该第一侧边的一端延伸并与该第二侧边的一端相接触的第三侧边、以及从该第一侧边的另一端延伸并与该第二侧边的另一端相接触的第四侧边;第一凸出体,其从对应于该第二和该第三侧边的接触点的第一顶点处向该主体之外凸出,该第一凸出体与该第二和该第三侧边接触;以及第二凸出体,其从对应于该第二和该第四侧边的接触点的第二顶点处向该主体之外凸出,该第二凸出体与该第二和该第四侧边接触,其中,该第一凸出体和该第二凸出体之间具有凹陷,且该被钉扎层图形和该隧穿绝缘层图形具有与该自由层图形相同的外形。 |
地址 |
韩国京畿道 |