制造半导体元件的方法与半导体元件

摘要

一种制造半导体元件的方法及半导体元件，该方法包括：形成一高介电常数介电层于一半导体基底上；形成一第一金属层于该高介电常数介电层上；形成一第二金属层于该第一金属层上；形成一第一硅层于该第二金属层上；注入离子进入覆盖该基底的一第一区的该第一硅层与第二金属层中；形成一第二硅层于该第一硅层上；图案化于该第一区上的一第一栅极结构与该第二区上的一第二栅极结构；执行一退火工艺，其使该第二硅层与该第一硅层反应以于该第一与第二栅极结构中分别形成一硅化层；以及驱使该离子接近该第一栅极结构中的该第一金属层与该高介电常数介电层的一界面。本发明减低了离子穿透的风险与高介电常数介电材料的损伤，又价钱低廉。

主权项

一种制造半导体元件的方法，包括：形成一高介电常数介电层于一半导体基底上，该半导体基底具有一第一区与一第二区；形成一第一金属层于该高介电常数介电层上；形成一第二金属层于该第一金属层上；形成一第一硅层于该第二金属层上；注入多个离子进入覆盖该基底的该第一区的该第一硅层与该第二金属层中；形成一第二硅层于该第一硅层上；图案化于该第一区上的一第一栅极结构与该第二区上的一第二栅极结构，该第一与第二栅极结构各包括该高介电常数介电层、该第一金属层、该第二金属层、该第一硅层与该第二硅层；以及执行一退火工艺，其使该第二硅层与该第一硅层反应以于该第一与第二栅极结构中分别形成一硅化层，其中于该第一栅极结构中的该硅化层的形成驱使所述多个离子接近该第一栅极结构中的该第一金属层与该高介电常数介电层的一界面。