半导体器件

摘要

一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。

主权项

1.一种含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，所述静态随机存取存储器包括：在衬底之上的字线；在所述衬底之上、与所述字线交叉的第一和第二位线；在所述衬底之上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；与所述第一薄膜晶体管的源区或漏区相电连接的第一电阻；与所述第二薄膜晶体管的源区或漏区相电连接的第二电阻；第三薄膜晶体管，其中所述第三薄膜晶体管的源区和漏区中之一与所述第一薄膜晶体管的所述源区或漏区相电连接，并且所述第三薄膜晶体管的所述源区和漏区中的另一个与所述第一位线相电连接；以及第四薄膜晶体管，其中所述第四薄膜晶体管的源区和漏区中之一与所述第二薄膜晶体管的所述源区或漏区相电连接，并且所述第四薄膜晶体管的所述源区和漏区中的另一个与所述第二位线相电连接，其中所述第一薄膜晶体管的栅电极连接到所述第二薄膜晶体管的源区或漏区，并电连接到所述第二位线；其中所述第二薄膜晶体管的栅电极连接到所述第一薄膜晶体管的源区或漏区，且电连接到所述第一位线；其中所述第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的栅电极与所述字线相连接；每个所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：在绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区；与所述沟道区相邻的栅电极，栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间；其中所述源区和所述漏区包括金属硅化物，其中所述半导体膜包括平行于所述衬底延伸的柱状或针状晶体，以及其中所述绝缘膜具有在其上表面上的高度小于的至少一个表面粗糙度。