LDMOS晶体管结构和制备方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS晶体管的结构，包括在栅极靠近漏极的一侧下硅区域到漏极重掺杂区之间有高压浅掺杂区，高压浅掺杂区表面覆盖有硅化物阻挡层和介质层，LDMOS晶体管还包括位于高压浅掺杂区表面的硅化物阻挡层上的填充有金属的接触孔或接触沟槽和该接触孔或接触沟槽上的金属连线。本发明的高压浅掺杂区上设置的浮置的接触孔，使LDMOS器件工作时的位降线弯曲以提高器件的耐压。本发明还公开了上述LDMOS晶体管的制备方法。

主权项

1、一种LDMOS晶体管结构，所述LDMOS晶体管包括位于栅极靠近漏极的一侧下硅区域到漏极重掺杂区之间的高压浅掺杂区，所述高压浅掺杂区的硅表面依序覆盖有硅化物阻挡层和介质层，其特征在于：所述LDMOS晶体管还包括位于所述高压浅掺杂区表面的硅化物阻挡层上的填充有金属的接触孔或接触沟槽和该接触孔或接触沟槽上的金属连线。