| 发明名称 | 氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>，H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>+H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>，HCl+H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>或HNO<sub>3</sub>的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。 | ||
| 申请公布号 | CN101661910A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200910170653.3 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中山雅博;松本直树 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓半导体衬底，该氮化镓半导体衬底在其表面上包括有选自Si、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn和Al中的至少一种元素的金属污染，其中，所述金属污染的总量是0至10×1011原子/cm2。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||