Halbleiterbauelement mit inhärenten Kapazitäten und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit inhärenten Kapazitäten (CGD, CDS) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterbauelement (1) eine inhärente Rückwirkungskapazität (CGD) zwischen einer Steuerelektrode (9) und einer ersten Elektrode (10) auf. Außerdem weist das Halbleiterbauelement (1) eine inhärente Drain-Source-Kapazität (CDS) zwischen der ersten Elektrode (10) und einer zweiten Elektrode (11) auf. Mindestens eine monolithisch integrierte Zusatzkapazität (CZ) ist parallel zu der inhärenten Rückwirkungskapazität (CGD) oder parallel zu der inhärenten Drain-Source-Kapazität (CDS) geschaltet. Die Zusatzkapazität (CZ) weist eine erste Kondensatorfläche (12) und eine der ersten Kondensatorfläche (12) gegenüberliegende zweite Kondensatorfläche (13) auf. Die Kondensatorflächen (12, 13) sind strukturierte leitende Schichten (14, 15) des Halbleiterbauelements (1) auf einer Oberseite (16) des Halbleiterkörpers (20), zwischen denen eine dielektrische Schicht (18) angeordnet ist und mindestens einen Zusatzkondensator (CZ) bilden.