| 发明名称 | 图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图像传感器的制造方法。该方法包括如下步骤。在具有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成滤色镜层。在滤色镜层上形成平坦化层。在平坦化层上形成LTO(低温氧化物)层。在LTO层上形成与滤色镜相对应的光致抗蚀剂图案，并实施回流工艺。在光致抗蚀剂图案和LTO层上实施反应离子蚀刻以形成微透镜阵列。在反应离子蚀刻工艺期间，在光致抗蚀剂图案和/或LTO层上实施第二次回流工艺。在本发明的图像传感器中，微透镜之间的间隙被最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN100590847C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200710305918.7 | 申请日期 | 2007.12.28 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 尹基准;黃祥逸 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1.一种图像传感器的制造方法，该方法包括如下步骤：在上面具有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成滤色镜层；在该滤色镜层上形成平坦化层；在该平坦化层上形成低温氧化物层；在该低温氧化物层上形成光致抗蚀剂图案，并实施回流工艺；通过在该光致抗蚀剂图案和该低温氧化物层上实施反应离子蚀刻工艺，形成微透镜阵列；以及在该反应离子蚀刻工艺期间，在该光致抗蚀剂图案上实施回流工艺。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||